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根据台媒《工商时报》和《经济日报》的报道，南亚科技在年度股东常会上表示，其首款1nm制程的DRAM内存产品16Gb DDR5颗粒将于明年初进入试产阶段。目前，南亚科技正在进行1B nm制程的DRAM试产，涵盖8/4Gb DDR4内存和16Gb DDR5内存。南亚科技预计，在下半年会少量试产首批DDR5内存，并将在明年进一步增加产量。
除此之外，南亚科技还在规划中开发了一系列新产品。包括16Gb LPDDR5内存、16Gb LPDDR4内存和4Gb DDR3 内存等。同时，该公司也将同步开发TSV技术，在未来结合使用 EUV 光刻机制造高容量（3DS）DRAM 内存模组以满足服务器市场的需求。
南亚科技表示，他们在每个制程世代都实现了位元提升速度为30%。目前正在与比利时imec微电子研究中心合作，为采用 EUV 光刻机的先进 DRAM 制程做准备。此外，在今年四月，南亚科技实现了合并营收32.06亿元新台币（约合7.18亿元人民币），同比增长41.88%。 | 
